Skip to content
VuFind
  • Prijava
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
    • Māori
Napredno
  • Citiraj
  • Pošljite SMS
  • Pošljite email
  • Natisni
  • Izvozi zadetek
    • Izvozi v RefWorks
    • Izvozi v EndNoteWeb
    • Izvozi v EndNote
  • Dodaj v priljubljene
  • Permanent link
Slika na naslovnici

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Main Authors: Liles, S. D., Halverson, D. J., Wang, Z., Shamim, A., Eggli, R. S., Jin, I. K., Hillier, J., Kumar, K., Vorreiter, I., Rendell, M., Huang, J. H., Escott, C. C., Hudson, F. E., Lim, W. H., Culcer, D., Dzurak, A. S., Hamilton, A. R.
Format: Preprint
Izdano: 2023
Teme:
Mesoscale and Nanoscale Physics
Online dostop:https://arxiv.org/abs/2310.09722
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
  • Zaloga
  • Opis
  • Kazalo
  • Komentarji
  • Podobne knjige/članki
  • Knjižničarski pogled

Internet

https://arxiv.org/abs/2310.09722

Podobne knjige/članki

  • Electrical operation of hole spin qubits in planar MOS silicon quantum dots
    od: Wang, Zhanning, et al.
    Izdano: (2023)
  • Electrical driving of hole spin states in planar silicon MOS device by g-matrix modulation
    od: Shamim, Aaquib, et al.
    Izdano: (2026)
  • Anisotropic spin-blockade leakage current in a Ge hole double quantum dot
    od: Wang, Zhanning, et al.
    Izdano: (2025)
  • Probing g-tensor reproducibility and spin-orbit effects in planar silicon hole quantum dots
    od: Jin, Ik Kyeong, et al.
    Izdano: (2024)
  • Holes in silicon are heavier than expected: transport properties of extremely high mobility electrons and holes in silicon MOSFETs
    od: Wendoloski, J. P., et al.
    Izdano: (2025)

Iskalne možnosti

  • Iskalna zgodovina
  • Napredno iskanje

Poišči več

  • Prelistaj katalog
  • Po abecedi
  • Explore Channels
  • Obvezna literatura
  • Novi knjige/članki

Potrebujete pomoč?

  • Navodila za iskanje
  • Vprašaj knjižničarja
  • Pogosta vprašanja