Схожі ресурси

• Electrically Tunable Room‐Temperature Microwave Oscillations in GaN/AlN Triple‐Barrier Resonant Tunneling Diodes
  за авторством: Jimy Encomendero, та інші
  Опубліковано: (2026)
• Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
  за авторством: Chen, Yu-Hsin, та інші
  Опубліковано: (2025)
• Electrical and Structural Properties of In-Situ MOCVD Grown Al$_2$O$_3$/$β$-Ga$_2$O$_3$ and Al$_2$O$_3$/$β$-(Al$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ MOSCAPs
  за авторством: Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, та інші
  Опубліковано: (2025)
• In-situ MOCVD Growth and Band Offsets of Al$_2$O$_3$ Dielectric on $β$-Ga$_2$O$_3$ and $β$-(Al$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ thin films
  за авторством: Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, та інші
  Опубліковано: (2022)
• Growth, catalysis and faceting of $α$-Ga$_2$O$_3$ and $α$-(In$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ on $m$-plane $α$-Al$_2$O$_3$ by molecular beam epitaxy
  за авторством: Williams, Martin S., та інші
  Опубліковано: (2023)