Résultats de la recherche - Daewon Ha

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    A Novel Indium Gallium Zinc Oxide Channel‐Based Electrochemical Field Effect Transistor for Physical Reservoir Computing Autoría: Hyejin Kim, Jinho Byun, Junghoon Park, Kiheun Lee, Daewon Ha, Seyoung Kim

    Publié 2025
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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    Middle Interlayer Engineered Ferroelectric NAND Flash Overcoming Reliability and Stability Bottlenecks for Next‐Generation High‐Density Storage Systems Autoría: Giuk Kim, Sangho Lee, Hyojun Choi, Yangjin Jung, Woongjin Kim, Sanghyun Park, Kwangyou Seo, Kwangsoo Kim, Wanki Kim, Daewon Ha, Mincheol Shin, Jinho Ahn, Sanghun Jeon

    Publié 2025
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    Enhanced Device Characteristics of Hybrid‐Channel (Poly‐Si/IGO) Structures with Ga 2 O 3 and Al 2 O 3 Interlayers by Suppressing Oxidation‐Induced Variability for Ultra‐High‐Densit... Autoría: Taewon Hwang, Jeongmin Shin, So Young Lim, Sohee Kim, Jae‐Min Sim, Su‐Hwan Choi, Youngji Noh, Wanki Kim, Daewon Ha, Jin‐Seong Park, Yun‐Heub Song

    Publié 2025
    Fuente: Wiley Open Access
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    Growth of Highly‐Ordered‐Crystalline Indium‐Gallium‐Oxide Thin‐Film via Plasma‐Enhanced ALD for High Performance Top‐Gate Field‐Effect Transistors Autoría: Min Jae Kim, Seon Woong Bang, Jae Seok Hur, Seong Hun Yoon, Cheol Hee Choi, Sang Won Chung, Jeong Eun Oh, Yena Kim, Bang Ju Park, Jeonga Lee, Hoichang Yang, Daewon Ha, Min Hee Cho, Jae Kyeong Jeong

    Publié 2024
    Fuente: Wiley Open Access
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    Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures Autoría: Prasanna Venkatesan, Hari Jayasankar, Salma Soliman, Priyankka Ravikumar, Lance Fernandes, Chinsung Park, Amrit Garlapati, Chengyang Zhang, Sanghyun Kang, Shimeng Yu, Suman Datta, Asif Khan, Mengkun Tian, Zheng Wang, Kijoon Kim, Kwangyou Seo, Kwangsoo Kim, Wanki Kim, Daewon Ha, Luca Larcher, Gaurav Thareja, Andrea Padovani

    Publié 2026
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    Materials Design Principles for Large Memory Windows: Coercive Voltage Engineering in Ferroelectric– Dielectric Heterostructures (Adv. Electron. Mater. 8/2026) Autoría: Prasanna Venkatesan, Hari Jayasankar, Salma Soliman, Priyankka Ravikumar, Lance Fernandes, Chinsung Park, Amrit Garlapati, Chengyang Zhang, Sanghyun Kang, Shimeng Yu, Suman Datta, Asif Khan, Mengkun Tian, Zheng Wang, Kijoon Kim, Kwangyou Seo, Kwangsoo Kim, Wanki Kim, Daewon Ha, Luca Larcher, Gaurav Thareja, Andrea Padovani

    Publié 2026
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