Résultats de la recherche - Geonhui Han

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    Highly Reliable Hf1‐XZrXO2 with Ultra‐Low Operation Voltage (< 1 V) Enabled by Stoichiometric Control of Tungsten Oxide Interfacial Layer Autoría: Mostafa Habibi, Alireza Kashir, Tony Schenk, Hojung Jang, Seungyeol Oh, Jaeseon Kim, Geonhui Han, Donghwa Lee, Foroozan Koushan, Hyunsang Hwang

    Publié 2025
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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