Résultats de la recherche - Niels Posthuma

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    Enhancing the Forward Gate Bias Robustness in p‐GaN Gate High‐Electron‐Mobility Transistors through Doping Profile Engineering Autoría: Matteo Borga, Niels Posthuma, Anurag Vohra, Benoit Bakeroot, Stefaan Decoutere

    Publié 2024
    Fuente: Wiley Open Access
    Tipo de material: Artículo Open Access
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