Resultados de búsqueda - Tony Low
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Near‐Field Coupling of Janus Dipoles Beyond Polarization Locking Autoría: Chan Wang, Yuhan Zhong, Xuhuinan Chen, Huaping Wang, Tony Low, Hongsheng Chen, Baile Zhang, Xiao Lin
Publicado 2024Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso -
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Unusual Dzyaloshinskii‐Moriya Interaction in Graphene/Fe 3 GeTe 2 Van der Waals Heterostructure Autoría: Pawan Kumar Srivastava, Yasir Hassan, Seungjun Lee, Minwoong Joe, Muhammad Sabbtain Abbas, Hyobin Ahn, Ankita Tiwari, Subhasis Ghosh, Won Jong Yoo, Budhi Singh, Tony Low, Changgu Lee
Publicado 2024Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso -
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Control of Charge‐Spin Interconversion in van der Waals Heterostructures with Chiral Charge Density Waves Autoría: Zhendong Chi, Seungjun Lee, Haozhe Yang, Eoin Dolan, C. K. Safeer, Josep Ingla‐Aynés, Franz Herling, Nerea Ontoso, Beatriz Martín‐García, Marco Gobbi, Tony Low, Luis E. Hueso, Fèlix Casanova
Publicado 2024Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso -
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Interfacial Strong Coupling and Negative Dispersion of Propagating Polaritons in Freestanding Oxide Membranes Autoría: Brayden Lukaskawcez, Shivasheesh Varshney, Sooho Choo, Sang Hyun Park, Dongjea Seo, Liam Thompson, Nitzan Hirshberg, Madison Garber, Devon Uram, Hayden Binger, Steven J. Koester, Sang‐Hyun Oh, Tony Low, Bharat Jalan, Alexander S. McLeod
Publicado 2025Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso -
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Boltzmann Switching MoS2 Metal–Semiconductor Field‐Effect Transistors Enabled by Monolithic‐Oxide‐Gapped Metal Gates at the Schottky–Mott Limit Autoría: Yeon Ho Kim, Wei Jiang, Donghun Lee, Donghoon Moon, Hyun‐Young Choi, June‐Chul Shin, Yeonsu Jeong, Jong Chan Kim, Jaeho Lee, Woong Huh, Chang Yong Han, Jae‐Pil So, Tae Soo Kim, Seong Been Kim, Hyun Cheol Koo, Gunuk Wang, Kibum Kang, Hong‐Gyu Park, Hu Young Jeong, Seongil Im, Gwan‐Hyoung Lee, Tony Low, Chul‐Ho Lee
Publicado 2024Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso -
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Boltzmann Switching MoS2 Metal–Semiconductor Field‐Effect Transistors Enabled by Monolithic‐Oxide‐Gapped Metal Gates at the Schottky–Mott Limit (Adv. Mater. 29/2024) Autoría: Yeon Ho Kim, Wei Jiang, Donghun Lee, Donghoon Moon, Hyun‐Young Choi, June‐Chul Shin, Yeonsu Jeong, Jong Chan Kim, Jaeho Lee, Woong Huh, Chang Yong Han, Jae‐Pil So, Tae Soo Kim, Seong Been Kim, Hyun Cheol Koo, Gunuk Wang, Kibum Kang, Hong‐Gyu Park, Hu Young Jeong, Seongil Im, Gwan‐Hyoung Lee, Tony Low, Chul‐Ho Lee
Publicado 2024Fuente: Wiley Open AccessTipo de material: Artículo Open AccessAcceso al recurso