Buchumschlag

Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Date, Mihir, Mukherjee, Sudipta, Ghosh, Joydeep, Saha, Dipankar, Ganguly, Swaroop, Laha, Apurba
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2017
Schlagworte:	Applied Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Impact of Polarization Charges on Threshold Voltage and Band Offset in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Tetsuya Suemitsu, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Numerical Investigation of Quasi‐Vertical GaN‐on‐Si MOSFET Incorporating AlGaN/GaN Polarization Interface and AlGaN Functional Layer
von: Zijun Lin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Presence of High Density Positive Fixed Charges at ALD–Al2O3/GaN (cap) Interface for Efficient Recovery of 2‐DEG in Ultrathin‐Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
von: Han Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Experimental investigation on the effect of temperature on the frequency limit of GaAs-AlGaAs and AlGaN-GaN 2DEG Hall-effect sensors
von: Lalwani, Anand V, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Record Negative Photoconductivity in N‐Polar AlGaN/GaN Quantum‐Well Heterostructures
von: Maciej Matys, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Comparative Analysis of Ni/Ag and Ni/Au Contacts on GaN/AlGaN/GaN Platform
von: Yuanlei Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Spectroscopic Signature of Local Alloy Fluctuations in InGaN/GaN Multi-Quantum-Disk Light Emitting Diode Heterostructures and Its Impact on the Optical Performance
von: Chatterjee, Soumyadip, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Device and Noise Performances of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Various GaN Channel Layers Grown on AlN Buffer Layer
von: Ki‐Sik Im, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Cathodoluminescence of quantized energy states at AlGaN/GaN interface
von: Chahshouri, Fatemeh, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of current on terahertz plasmons in AlGaN/GaN heterostructures
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Schottky Contact Degradation and Dislocations in AlGaN‐GaN HEMTs
von: Yongkun Sin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

All Nitride NbN/AlGaN/GaN Schottky Gate HEMT on (0001) 4H‐SiC: Improved DC Performance and Metallic Passivation
von: Umang Singh, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Effect of Ultra‐Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures
von: Toi Nezu, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of Ultra-High-Resistance Au/Ti/p-GaN Junctions and the Applications in AlGaN/GaN HEMTs
von: Zhou, Guangnan, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Microwave dependent quantum transport characteristics in GaN/AlGaN FETs
von: Shinozaki, Motoya, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effects of the built-in electric field on free and bound excitons in a polar GaN/AlGaN/GaN based heterostructure
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Optimization of the Al Composition of the p‐AlGaN Electron Blocking Layer in GaInN/GaN Multiquantum‐Shell Nanowire LEDs
von: Yuta Hattori, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Microwave Power Performance of AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistor on Semi‐Insulating Mn‐Doped GaN Substrate
von: Tomoharu Sugino, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Record negative photoconductivity in N-polar AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Discovery of Slot Plasma Excitations in a AlGaN/GaN Plasmonic Crystal
von: Khisameeva, A. R., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Impact of AlN buffer thickness on electrical and thermal characteristics of AlGaN/GaN/AlN HEMTs
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Control of Extraordinary Optical Transmission in Resonant Terahertz Gratings via Lateral Depletion in an AlGaN-GaN Heterostructure
von: Nyabere, Geofrey, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Understanding Interfaces in AlScN/GaN Heterostructures
von: Isabel Streicher, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN-based Grating-Gate Plasmonic Crystals
von: Sai, Pavlo, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN‐Based Grating‐Gate Plasmonic Crystals
von: Pavlo Sai, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Plasma‐Engineered AlGaN/GaN Optoelectronic Synapses for Low‐Power Neuromorphic Computing
von: Yuliang Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Retracted: Improvement and Reduction of Self-Heating Effect in AlGaN/GaN HEMT Devices
von: Journal of Sensors
Veröffentlicht: (2024)

In situ XRD Study of Strain Evolution in AlGaN/GaN HEMT at High Temperatures up to 1000 °C
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Experimental demonstration of a Two-Dimensional Hole Gas (2DHG) in a GaN/AlGaN/GaN based heterostructure by optical spectroscopy
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Potential of Graphene/AlGaN/GaN heterostructures to study the drag and two-stream instability effects
von: Rehman, A., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Effect of temperature on 2D terahertz plasmons and electron effective mass in AlGaN/GaN
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Inverse Design of AlGaN/GaN HEMT RF Device with Source Connected Field Plate
von: Aurick Das, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Enhanced Performance of Ultraviolet AlGaN/GaN Photo‐HEMTs by Optimized Channel Isolation Schemes
von: Ramit Kumar Mondal, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Optimization of gate structure towards high‐sensitivity AlGaN/GaN HEMT cortisol detection
von: Hui Chang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

A New Method to Estimate Surface Donor Density (N TD ) in AlGaN/GaN HEMT by Validated DCT Simulations
von: Vaidehi Vijay Painter, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Electrical Properties of N‐Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy
von: Aina Hiyama Zazuli, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Strain‐Engineered Unified SiNx Deposition for Device Passivation and Capacitance Dielectric in GaN Monolithic Microwave Integrated Circuit
von: Jyoti Sahu, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Enhanced Breakdown and RF Performance in Field-Plated AlGaN/GaN HEMT for High-Power Applications
von: Rahman, Tanjim, et al.
Veröffentlicht: (2025)