$\mathrm{TlP_5}$: An unexplored direct band gap 2D semiconductor with ultra-high carrier mobility
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Yuan, Jun-Hui, Cresti, Alessandro, Xue, Kan-Hao, Song, Ya-Qian, Su, Hai-Lei, Li, Li-Heng, Miao, Nai-Hua, Sun, Zhi-Mei, Wang, Jia-Fu, Miao, Xiang-Shui |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2018
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
KTlO: A metal shrouded 2D semiconductor with high carrier mobility and tunable magnetism
di: Song, Ya-Qian, et al.
Pubblicazione: (2018)
di: Song, Ya-Qian, et al.
Pubblicazione: (2018)
$\mathrm{BaAs_3}$: A narrow gap 2D semiconductor with vacancy-induced semiconductor-metal transition
di: Tang, Ping, et al.
Pubblicazione: (2019)
di: Tang, Ping, et al.
Pubblicazione: (2019)
Two dimensional silicon chalcogenides with high carrier mobility for photocatalytic water splitting
di: Zhu, Yun-Lai, et al.
Pubblicazione: (2018)
di: Zhu, Yun-Lai, et al.
Pubblicazione: (2018)
Direct observation of electronic band gap and hot carrier dynamics in GeAs semiconductor
di: Zhang, Zailan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Zailan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Planar penta-transition metal phosphide and arsenide as narrow-bandgap semiconductors from first principle calculations
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2018)
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2018)
Emerging ultra-wide band gap semiconductors for future high-frequency electronics
di: Garrity, Emily M., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Garrity, Emily M., et al.
Pubblicazione: (2025)
Improved self-energy correction method for accurate and efficient band structure calculation
di: Xue, Kan-Hao, et al.
Pubblicazione: (2017)
di: Xue, Kan-Hao, et al.
Pubblicazione: (2017)
Decorrelation of $\mathrm{SO}(5)\times \mathrm{SO}(2)$ Bessel periods for symmetric cubes of $\mathrm{GL}(2)$
di: Hua, Shenghao, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Hua, Shenghao, et al.
Pubblicazione: (2025)
Magic-angle twisted bilayer graphene under orthogonal and in-plane magnetic fields
di: Bigeard, Gaëlle, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Bigeard, Gaëlle, et al.
Pubblicazione: (2023)
First-principle quantum Monte-Carlo study of charge carrier mobility in organic molecular semiconductors
di: Ostmeyer, Johann, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Ostmeyer, Johann, et al.
Pubblicazione: (2023)
Ab initio simulation of $\mathrm{Ta_2O_5}$: A high symmetry ground state phase with application to interface calculation
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2018)
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2018)
The illocution-prosody relationship and the Information Pattern in spontaneous speech according to the Language into Act Theory (L-AcT)
di: Emanuela Cresti
Pubblicazione: (2018)
di: Emanuela Cresti
Pubblicazione: (2018)
Shell DFT-1/2 method towards engineering accuracy for semiconductors: GGA versus LDA
di: Cui, Hanli, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Cui, Hanli, et al.
Pubblicazione: (2022)
Moiré flat bands in alternating twisted $\mathrm{MoTe_2}$ multilayer
di: Liang, Miao, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Liang, Miao, et al.
Pubblicazione: (2024)
Narrow‐band semiconductor as new piezoelectrics
di: Yuan‐Hua Lin
Pubblicazione: (2025)
di: Yuan‐Hua Lin
Pubblicazione: (2025)
Beyond the band edge: Unveiling high-mobility hot carriers in a two-dimensional conjugated coordination polymer
di: Fu, Shuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Fu, Shuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Spinel LiGa$_5$O$_8$ prospects as ultra-wideband-gap semiconductor: band structure, optical properties and doping
di: Lambrecht, Walter R. L.
Pubblicazione: (2023)
di: Lambrecht, Walter R. L.
Pubblicazione: (2023)
SeWS/bilayer-SiC heterojunction: An S-scheme photocatalyst with high visible-light absorption, excellent carrier mobility and adjustable band gap
di: Yang, Liuzhu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yang, Liuzhu, et al.
Pubblicazione: (2025)
Investigation of density of states and charge carrier mobility in amorphous semiconductors via time-of-flight photocurrent analysis
di: Serdouk, F., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Serdouk, F., et al.
Pubblicazione: (2025)
Flat bands in ultra-wide gap two-dimensional germanium dioxide
di: Reis, Rafael Franco Ribeiro, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Reis, Rafael Franco Ribeiro, et al.
Pubblicazione: (2025)
Charge-carrier complexes in monolayer semiconductors
di: Mostaani, E., et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Mostaani, E., et al.
Pubblicazione: (2022)
Electronic properties and transport in metal/2D material/metal vertical junctions
di: Bigeard, Gaëlle, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Bigeard, Gaëlle, et al.
Pubblicazione: (2025)
Correlation between band gap and Raman intensity
di: Zhu, Sheng-Hai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhu, Sheng-Hai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Free-carrier screening unlocks high electron mobility in ultrawide bandgap semiconductor CaSnO$_3$
di: Gong, Jiayi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Gong, Jiayi, et al.
Pubblicazione: (2025)
Impact of spin--orbit coupling on orbital diamagnetism in a narrow-gap semiconductor $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Te}$
di: Mitani, Yuki, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Mitani, Yuki, et al.
Pubblicazione: (2026)
Hafnia for analog memristor: Influence of stoichiometry and crystalline structure
di: Li, Li-Heng, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Li, Li-Heng, et al.
Pubblicazione: (2022)
RaffeSDG: Random Frequency Filtering enabled Single-source Domain Generalization for Medical Image Segmentation
di: Li, Heng, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Li, Heng, et al.
Pubblicazione: (2024)
Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors
di: Troha, T., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Troha, T., et al.
Pubblicazione: (2024)
Photon‐assisted ultrafast electron–hole plasma expansion in direct band semiconductors
di: Tinkara Troha, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Tinkara Troha, et al.
Pubblicazione: (2024)
Order in disorder: increased carrier mobility of downscaled amorphous semiconductors for high-speed thin film transistors in flexible electronics
di: Luo, Yuezhou, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Luo, Yuezhou, et al.
Pubblicazione: (2024)
Large-angle twisted photonic crystal semiconductor nanolasers with ultra-low thresholds operating in the C-band
di: Wang, Yilan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wang, Yilan, et al.
Pubblicazione: (2024)
The role of effective mass and long-range interactions in the band-gap renormalization of photo-excited semiconductors
di: Reeves, Cian C., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Reeves, Cian C., et al.
Pubblicazione: (2025)
Interplay of phonon directionality and emission polarization in two-dimensional layered metal halide perovskites
di: Krahne, Roman, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Krahne, Roman, et al.
Pubblicazione: (2024)
The effect of carrier diffusion and recombination in semiconductors on the photoacoustic signal
di: L. Villegas Lelovsky
Pubblicazione: (2000)
di: L. Villegas Lelovsky
Pubblicazione: (2000)
Fractal behavior of tensor powers of tilting modules of $\text{SL}_2$
di: Sheu, Nai-Heng
Pubblicazione: (2025)
di: Sheu, Nai-Heng
Pubblicazione: (2025)
Asymptotic Growth of Trivial Summands in Tensor Powers
di: Sheu, Nai-Heng
Pubblicazione: (2025)
di: Sheu, Nai-Heng
Pubblicazione: (2025)
Customizing PBE Exchange-Correlation functionals: A comprehensive approach for band gap prediction in diverse semiconductors
di: Bhattacharjee, Satadeep, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Bhattacharjee, Satadeep, et al.
Pubblicazione: (2023)
Microcirculation in obesity: an unexplored domain
di: Nicolas Wiernsperger
Pubblicazione: (2007)
di: Nicolas Wiernsperger
Pubblicazione: (2007)
Bacillus subtilis RNase HII Is Inefficient at Processing Guanosine Monophosphate and Damaged Ribonucleotides
di: Julianna R. Cresti, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Julianna R. Cresti, et al.
Pubblicazione: (2026)
Unveiling competitions between carrier recombination pathways in semiconductors via mechanical damping
di: Xie, Mingyu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xie, Mingyu, et al.
Pubblicazione: (2025)
Documenti analoghi
-
KTlO: A metal shrouded 2D semiconductor with high carrier mobility and tunable magnetism
di: Song, Ya-Qian, et al.
Pubblicazione: (2018) -
$\mathrm{BaAs_3}$: A narrow gap 2D semiconductor with vacancy-induced semiconductor-metal transition
di: Tang, Ping, et al.
Pubblicazione: (2019) -
Two dimensional silicon chalcogenides with high carrier mobility for photocatalytic water splitting
di: Zhu, Yun-Lai, et al.
Pubblicazione: (2018) -
Direct observation of electronic band gap and hot carrier dynamics in GeAs semiconductor
di: Zhang, Zailan, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Planar penta-transition metal phosphide and arsenide as narrow-bandgap semiconductors from first principle calculations
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2018)