$\mathrm{BaAs_3}$: A narrow gap 2D semiconductor with vacancy-induced semiconductor-metal transition

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Tang, Ping, Yuan, Jun-Hui, Song, Ya-Qian, Xu, Ming, Xue, Kan-Hao, Miao, Xiang-Shui
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2019
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