Optical and electronic properties of symmetric InAs/InGaAlAs/InP quantum dots formed by a ripening process in molecular beam epitaxy: a promising system for broad-range single-photon telecom emitters

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Holewa, Paweł, Gawełczyk, Michał, Maryński, Aleksander, Wyborski, Paweł, Reithmaier, Johann Peter, Sęk, Grzegorz, Benyoucef, Mohamed, Syperek, Marcin
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2020
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