Optical and electronic properties of symmetric InAs/InGaAlAs/InP quantum dots formed by a ripening process in molecular beam epitaxy: a promising system for broad-range single-photon telecom emitters
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2020
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