Optical and electronic properties of symmetric InAs/InGaAlAs/InP quantum dots formed by a ripening process in molecular beam epitaxy: a promising system for broad-range single-photon telecom emitters

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Holewa, Paweł, Gawełczyk, Michał, Maryński, Aleksander, Wyborski, Paweł, Reithmaier, Johann Peter, Sęk, Grzegorz, Benyoucef, Mohamed, Syperek, Marcin
Formato:	Preprint
Publicado:	2020
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2011.09198