Room temperature Mott metal-insulator transition in V2O3 compounds induced via strain-engineering

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Homm, P., Menghini, M., Seo, J. W., Peters, S., Locquet, J. -P.
Format:	Preprint
Publié:	2021
Sujets:	Strongly Correlated Electrons Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2101.04409