Planar and 3-dimensional damage free etching of $β$-Ga2O3 using atomic gallium flux

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kalarickal, Nidhin Kurian, Fiedler, Andreas, Dhara, Sushovan, Rahman, Mohammad Wahidur, Kim, Taeyoung, Xia, Zhanbo, Eddine, Zane Jamal, Dheenan, Ashok, Brenner, Mark, Rajan, Siddharth
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2021
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2105.09503