Deep-potential enabled multiscale simulation of gallium nitride devices on boron arsenide cooling substrates

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Wu, Jing, Zhou, E, Huang, An, Zhang, Hongbin, Hu, Ming, Qin, Guangzhao
Format:	Preprint
Publié:	2022
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2201.00516