Towards controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to $β$-Ga2O3

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Ardenghi, A., Bierwagen, O., Falkenstein, A., Hoffmann, G., Lähnemann, J., Martin, M., Mazzolini, P.
Format:	Preprint
Publié:	2022
Sujets:	Materials Science Applied Physics
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2202.05762