Effect of gallium doping on structural and transport properties of the topological insulator Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Brito, Daniel, Pérez-Rodriguez, Ana, Khatri, Ishwor, Tavares, Carlos José, Amado, Mario, Castro, Eduardo, Diez, Enrique, Sadewasser, Sascha, Claro, Marcel S
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2022
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

https://arxiv.org/abs/2206.15453