Mobility exceeding 100,000 cm$^2$/Vs in modulation-doped shallow InAs quantum wells coupled to epitaxial aluminum

Fuente: arXiv
Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteurs principaux: Zhang, Teng, Lindemann, Tyler, Gardner, Geoffrey C., Gronin, Sergei, Wu, Tailung, Manfra, Michael J.
Format: Preprint
Publié: 2023
Sujets:
Accès en ligne:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!