Buchumschlag

Crack-free high composition (>35%) thick (>30 nm) barrier AlGaN/AlN/GaN HEMT on sapphire with record low sheet resistance

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Mukhopadhyay, Swarnav, Liu, Cheng, Chen, Jiahao, Sanyal, Surjava, Bai, Ruixin, Wang, Guangying, Gupta, Chirag, Pasayat, Shubhra
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2023
Schlagworte:	Applied Physics Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Demonstration of Si-doped Al-rich thin regrown Al(Ga)N films on AlN on sapphire templates with $\gt10^{15}/cm^3$ free carrier concentration using close-coupled showerhead MOCVD reactor
von: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Kilo‐Volt Class Al 0.65 Ga 0.35 N Channel Metal Insulator Semiconductor HEMTs With >300MW/cm 2 Baliga Figure of Merit on Sapphire Substrate
von: Khush Gohel, et al.
Veröffentlicht: (2026)

3 kV Monolithic Bidirectional GaN HEMT on Sapphire
von: Alam, Md Tahmidul, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz
von: Bai, Ruixin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Impact of AlN buffer thickness on electrical and thermal characteristics of AlGaN/GaN/AlN HEMTs
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Retracted: Improvement and Reduction of Self-Heating Effect in AlGaN/GaN HEMT Devices
von: Journal of Sensors
Veröffentlicht: (2024)

Inverse Design of AlGaN/GaN HEMT RF Device with Source Connected Field Plate
von: Aurick Das, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Optimization of gate structure towards high‐sensitivity AlGaN/GaN HEMT cortisol detection
von: Hui Chang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Device and Noise Performances of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Various GaN Channel Layers Grown on AlN Buffer Layer
von: Ki‐Sik Im, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Electrical Properties of N‐Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy
von: Aina Hiyama Zazuli, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Enhanced Breakdown and RF Performance in Field-Plated AlGaN/GaN HEMT for High-Power Applications
von: Rahman, Tanjim, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Strain distribution in GaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire templates: comparison of X-ray diffraction and photoluminescence studies
von: Wierzbicka, Aleksandra, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Numerical Investigation of Quasi‐Vertical GaN‐on‐Si MOSFET Incorporating AlGaN/GaN Polarization Interface and AlGaN Functional Layer
von: Zijun Lin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Increasing the mobility and power-electronics figure of merit of AlGaN with atomically thin AlN/GaN digital-alloy superlattices
von: Pant, Nick, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Trapping Effect in AlN/GaN/AlGaN High‐Electron‐Mobility Transistors Revealed by Tristate Pulse IV Technique
von: Yihao Zhuang, et al.
Veröffentlicht: (2025)

In situ XRD Study of Strain Evolution in AlGaN/GaN HEMT at High Temperatures up to 1000 °C
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Optimizing electrical and thermal performance in AlGaN/GaN HEMT devices using dual‐metal gate technology
von: Preethi Elizabeth Iype, et al.
Veröffentlicht: (2024)

A New Method to Estimate Surface Donor Density (N TD ) in AlGaN/GaN HEMT by Validated DCT Simulations
von: Vaidehi Vijay Painter, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Origin of shallow n-type doping in AlN and Al-rich AlGaN
von: Liu, Yujie, et al.
Veröffentlicht: (2025)

AlGaN/AlN heterostructures: an emerging platform for nonlinear integrated photonics
von: Gündogdu, Sinan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Cathodoluminescence of quantized energy states at AlGaN/GaN interface
von: Chahshouri, Fatemeh, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of current on terahertz plasmons in AlGaN/GaN heterostructures
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Schottky Contact Degradation and Dislocations in AlGaN‐GaN HEMTs
von: Yongkun Sin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Comprehensive TCAD Simulation Study of High Voltage (>650V) Common Drain Bidirectional AlGaN/GaN HEMTs
von: Alam, Md Tahmidul, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Comparative Analysis of Ni/Ag and Ni/Au Contacts on GaN/AlGaN/GaN Platform
von: Yuanlei Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of Ultra‐Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures
von: Toi Nezu, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
von: Chen, Yu-Hsin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Effect of the Twist Crystallinity of N‐Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures
von: Taketo Kowaki, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Microwave dependent quantum transport characteristics in GaN/AlGaN FETs
von: Shinozaki, Motoya, et al.
Veröffentlicht: (2024)

MOCVD growth and band offsets of \k{appa}-phase Ga2O3 on sapphire, GaN, AlN and YSZ substrates
von: Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Improved operating voltage in InGaN-capped AlGaN-based DUV LEDs on bulk AlN substrates
von: Huang, H-W S., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Record negative photoconductivity in N-polar AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Record Negative Photoconductivity in N‐Polar AlGaN/GaN Quantum‐Well Heterostructures
von: Maciej Matys, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Formation of Ultra-High-Resistance Au/Ti/p-GaN Junctions and the Applications in AlGaN/GaN HEMTs
von: Zhou, Guangnan, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Discovery of Slot Plasma Excitations in a AlGaN/GaN Plasmonic Crystal
von: Khisameeva, A. R., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Ultrawide Bandgap Lateral AlN Schottky Barrier Diodes With Graded AlGaN Contact Layer on Single‐Crystal AlN Substrate
von: Junzhe Xie, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Optimization of the Al Composition of the p‐AlGaN Electron Blocking Layer in GaInN/GaN Multiquantum‐Shell Nanowire LEDs
von: Yuta Hattori, et al.
Veröffentlicht: (2024)