In-situ study and modeling of the reaction kinetics during molecular beam epitaxy of GeO2 and its etching by Ge

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Chen, Wenshan, Egbo, Kingsley, Tornatzky, Hans, Ramsteiner, Manfred, Wagner, Markus R., Bierwagen, Oliver
Format:	Preprint
Publié:	2023
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2304.11097