In-situ study and modeling of the reaction kinetics during molecular beam epitaxy of GeO2 and its etching by Ge
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | Chen, Wenshan, Egbo, Kingsley, Tornatzky, Hans, Ramsteiner, Manfred, Wagner, Markus R., Bierwagen, Oliver |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Kinetics, thermodynamics, and catalysis of the cation incorporation into GeO2, SnO2, and (SnxGe1-x)O2 during suboxide molecular beam epitaxy
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Etching of elemental layers in oxide molecular beam epitaxy by O2-assisted formation and evaporation of their volatile suboxide: The examples of Ga and Ge
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Lattice Dynamics of Rutile Germanium Dioxide (r‐GeO 2 )
von: Hans Tornatzky, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Hans Tornatzky, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Microscopic Origin of Temperature-Dependent Anisotropic Heat Transport in Ultrawide-Bandgap Rutile GeO2
von: Emtenani, Pouria, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Emtenani, Pouria, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Rapid screening of molecular beam epitaxy conditions for monoclinic (InxGa1-x)2O3 alloys
von: Schaefer, Stephen, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Schaefer, Stephen, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Isotopic study of Raman active phonon modes in $β$-Ga$_{2}$O$_{3}$
von: Janzen, Benjamin M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Janzen, Benjamin M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
940-nm VCSELs grown by molecular beam epitaxy on Ge(001)
von: Saddik, Karim Ben, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Saddik, Karim Ben, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Magnetoelectric training of multiferroic domains in Mn$_2$GeO$_4$
von: Leo, Naëmi, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Leo, Naëmi, et al.
Veröffentlicht: (2025)
$β$-Ga$_2$O$_3$(001) surface reconstructions from first principles and experiment
von: Lion, Konstantin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Lion, Konstantin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Lattice dynamics and complete polarization analysis of Raman-active modes in LaInO$_3$
von: Rose, Jonas, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Rose, Jonas, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In$_{1-x}$Ga$_x$)$_2$O$_3$ films ($x \leq 0.18$): Structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
von: Papadogianni, Alexandra, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Papadogianni, Alexandra, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Unravelling the oxygen influence in cubic bixbyite In$_2$O$_3$ on Raman active phonon modes by isotope studies
von: Feldl, Johannes, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Feldl, Johannes, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Epitaxial Growth of Rutile GeO$_2$ via MOCVD
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Stability, growth, and doping of In$_{2}$(Si, Ge)$_{2}$O$_{7}$ as promising n-type wide-gap semiconductors
von: Lee, Cheng-Wei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Lee, Cheng-Wei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Optimizing Flux Method Growth of Rutile GeO2 Crystals
von: Ansbro, Avery-Ryan, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Ansbro, Avery-Ryan, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga)$_2$O$_3$ alloy films
von: Feldl, Johannes, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Feldl, Johannes, et al.
Veröffentlicht: (2021)
First principles study on the oxidation resistance of two-dimensional intrinsic and defective GeO2
von: Zhang, Xixiang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Zhang, Xixiang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Growth of GeO2 on R-plane and C-plane Sapphires by MOCVD
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
A TEM Study of MOCVD-Grown Rutile GeO2 Films
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Study of Optical Properties of MOCVD-Grown Rutile GeO2 Films
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Phase Competition and Rutile Phase Stabilization of Growing GeO2 Films by MOCVD
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Growth kinetics and substrate stability during high-temperature molecular beam epitaxy of AlN nanowires
von: John, Philipp, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: John, Philipp, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Towards controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to $β$-Ga2O3
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Structural modifications of GeO$_2$ glass under high pressure and high temperature
von: Cornet, Antoine, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Cornet, Antoine, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Drastically enhanced cation incorporation in the epitaxy of oxides due to formation and evaporation of suboxides from elemental sources
von: Hoffmann, Georg, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Hoffmann, Georg, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Atomistic study of dislocation formation during Ge epitaxy on Si
von: Martín-Encinar, Luis, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Martín-Encinar, Luis, et al.
Veröffentlicht: (2025)
High‐Performance Monolayer 1T‐GeO 2 Transistors with Low‐Resistance Metal Contacts
von: Shuai Lang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Shuai Lang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Seed-Driven Stepwise Crystallization (SDSC) for Growing Rutile GeO2 Films via MOCVD
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Rahaman, Imteaz, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Thermal expansion and temperature dependence of Raman modes in epitaxial layers of Ge and Ge$_{1-x}$Sn$_{x}$
von: Corley-Wiciak, Agnieszka Anna, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Corley-Wiciak, Agnieszka Anna, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Magnetic properties of molecular beam epitaxy-grown ultrathin Cr2Ge2Te6 films down to monolayer limit on Si substrates
von: Ji, Pengfei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Ji, Pengfei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Phonons in Single‐Domain κ‐Ga 2 O 3 Studied by Polarization Angle‐Resolved Raman Scattering
von: Alwin Wüthrich, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Alwin Wüthrich, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Phase-selective growth of $κ$- vs $β$-Ga$_2$O$_3$ and (In$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ by In-mediated metal exchange catalysis in plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Synthesis of epitaxial TaO$_2$ thin films on Al$_2$O$_3$ by suboxide molecular-beam epitaxy and thermal laser epitaxy
von: Birkhölzer, Yorick A., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Birkhölzer, Yorick A., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Machine Learning Assisted Modeling of Amorphous TiO$_2$-Doped GeO$_2$ for Advanced LIGO Mirror Coatings
von: Jiang, Jun, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Jiang, Jun, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Dynamic compression of glassy GeO$2$ up to the TPa range and first observation of shock induced crystallization
von: Torchio, R., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Torchio, R., et al.
Veröffentlicht: (2025)
β‐Ga4GeO8 Stability Under Extreme Conditions (up to 600 °C and 30 GPa)
von: Anna V. Spivak, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Anna V. Spivak, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Thermally‐Induced Reentrant Order‐Disorder‐Order Transitions in ALa9(GeO4)6O2 Apatites
von: Alexander Yu. Chufarov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Alexander Yu. Chufarov, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Arsenic diffusion in MOVPE-Grown GaAs/Ge epitaxial structures
von: Orejuela, V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Orejuela, V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Phase Evolution and Substrate-Dependent Nucleation of Quartz GeO$_2$ Films Grown by MOCVD on r- and c-Plane Sapphires
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Structural Analysis of Amorphous GeO$_2$ under High Pressure Using Reverse Monte Carlo Simulations
von: Matsutani, Kenta, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Matsutani, Kenta, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Ähnliche Einträge
-
Kinetics, thermodynamics, and catalysis of the cation incorporation into GeO2, SnO2, and (SnxGe1-x)O2 during suboxide molecular beam epitaxy
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Etching of elemental layers in oxide molecular beam epitaxy by O2-assisted formation and evaporation of their volatile suboxide: The examples of Ga and Ge
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Lattice Dynamics of Rutile Germanium Dioxide (r‐GeO 2 )
von: Hans Tornatzky, et al.
Veröffentlicht: (2026) -
Microscopic Origin of Temperature-Dependent Anisotropic Heat Transport in Ultrawide-Bandgap Rutile GeO2
von: Emtenani, Pouria, et al.
Veröffentlicht: (2026) -
Rapid screening of molecular beam epitaxy conditions for monoclinic (InxGa1-x)2O3 alloys
von: Schaefer, Stephen, et al.
Veröffentlicht: (2024)