Ferroelectricity driven-resistive switching and Schottky barrier modulation at CoPt/MgZnO interface for non-volatile memories

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Belmoubarik, Mohamed, Al-Mahdawi, Muftah, Machado Jr., George, Nozaki, Tomohiro, Coelho, Cláudia, Sahashi, Masashi, Peng, Weng Kung
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2305.16563