Raman Study of Layered Breathing Kagome Lattice Semiconductor Nb3Cl8

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Jeff, Dylan A., Gonzalez, Favian, Harrison, Kamal, Zhao, Yuzhou, Fernando, Tharindu, Regmi, Sabin, Liu, Zhaoyu, Gutierrez, Humberto R., Neupane, Madhab, Yang, Jihui, Chu, Jiun-Haw, Xu, Xiaodong, Cao, Ting, Khondaker, Saiful I.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2023
Schlagworte:	Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
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