Orientation disparity in GaN/graphene/$m$-sapphire: control-based re-examination of thru-hole epitaxy

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	An, Su Young, Lee, Hyunkyu, Beak, Gunhoon, Jo, Hyeonoh, Kim, Jae Hun, Ha, Jongwoo, Yang, Jieun, Dong, Changwook, Choi, Jaewu, Lim, Joonwon, Kim, Chinkyo
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2023
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2308.15779