Algorithm-Based Linearly Graded Compositions of GeSn on GaAs (001) via Molecular Beam Epitaxy

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Gunder, Calbi, Alavijeh, Mohammad Zamani, Wangila, Emmanuel, de Oliveira, Fernando Maia, Sheibani, Aida, Kryvyi, Serhii, Attwood, Paul C., Mazur, Yuriy I., Yu, Shui-Qing, Salamo, Gregory J.
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

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https://arxiv.org/abs/2309.06695