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Radiation Tolerance of SiGe BiCMOS Monolithic Silicon Pixel Detectors without Internal Gain Layer

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Milanesio, M., Paolozzi, L., Moretti, T., Cardella, R., Kugathasan, T., Martinelli, F., Picardi, A., Semendyaev, I., Zambito, S., Nakamura, K., Tabuko, Y., Togawa, M., Elviretti, M., Rücker, H., Cadoux, F., Cardarelli, R., Débieux, S., Favre, Y., Fenoglio, C. A., Ferrere, D., Gonzalez-Sevilla, S., Iodice, L., Kotitsa, R., Magliocca, C., Nessi, M., Pizarro-Medina, A., Iglesias, J. Sabater, Saidi, J., Pinto, M. Vicente Barreto, Iacobucci, G.
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Instrumentation and Detectors
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2310.19398