Increased light-emission efficiency in disordered InGaN through the correlated reduction of recombination rates

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Pant, Nick, Kioupakis, Emmanouil
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Optics Disordered Systems and Neural Networks Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2311.03643