All-antiferromagnetic electrically controlled memory on silicon featuring large tunneling magnetoresistance

Fuente: arXiv

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Shi, Jiacheng, Lopez-Dominguez, Victor, Arpaci, Sevdenur, Sangwan, Vinod K., Mahfouzi, Farzad, Kim, Jinwoong, Athas, Jordan G., Hamdi, Mohammad, Aygen, Can, Phatak, Charudatta, Carpentieri, Mario, Jiang, Jidong S., Grayson, Matthew A., Kioussis, Nicholas, Finocchio, Giovanni, Hersam, Mark C., Amiri, Pedram Khalili
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2311.13828