Two-dimensional field-effect transistors based on lateral heterojunctions of transition metal dichalcogenides: dissipative quantum transport modeling

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Lovarelli, Giuseppe, Mazziotti, Fabrizio, Logoteta, Demetrio, Iannaccone, Giuseppe
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2311.18031