Reducing strain fluctuations in quantum dot devices by gate-layer stacking

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Frink, Collin C. D., Oh, Talise, Joseph, E. S., Losert, Merritt P., MacQuarrie, E. R., Woods, Benjamin D., Eriksson, M. A., Friesen, Mark
Format:	Preprint
Publié:	2023
Sujets:	Mesoscale and Nanoscale Physics
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https://arxiv.org/abs/2312.09235