Epitaxial growth of high-quality GaAs on Si(001) using ultrathin buffer layers

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Cheng, Kun, Tang, Tianyi, Zhan, Wenkang, Sun, Zhenyu, Xu, Bo, Zhao, Chao, Wang, Zhanguo
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2023
Schlagworte:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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https://arxiv.org/abs/2312.15390