Epitaxial growth of high-quality GaAs on Si(001) using ultrathin buffer layers

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Cheng, Kun, Tang, Tianyi, Zhan, Wenkang, Sun, Zhenyu, Xu, Bo, Zhao, Chao, Wang, Zhanguo
Formato:	Preprint
Publicado:	2023
Materias:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2312.15390