Buchumschlag

Etching of elemental layers in oxide molecular beam epitaxy by O2-assisted formation and evaporation of their volatile suboxide: The examples of Ga and Ge

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Chen, Wenshan, Egbo, Kingsley, Zhang, Huaide, Ardenghi, Andrea, Bierwagen, Oliver
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Drastically enhanced cation incorporation in the epitaxy of oxides due to formation and evaporation of suboxides from elemental sources
von: Hoffmann, Georg, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Kinetics, thermodynamics, and catalysis of the cation incorporation into GeO2, SnO2, and (SnxGe1-x)O2 during suboxide molecular beam epitaxy
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2024)

In-situ study and modeling of the reaction kinetics during molecular beam epitaxy of GeO2 and its etching by Ge
von: Chen, Wenshan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Towards controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to $β$-Ga2O3
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Phase-selective growth of $κ$- vs $β$-Ga$_2$O$_3$ and (In$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ by In-mediated metal exchange catalysis in plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Ardenghi, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Composition and optical properties of (In,Ga)As nanowires grown by group-III-assisted molecular beam epitaxy
von: Ruiz, M Gómez, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Evolution of the surface morphology of GaSb epitaxial layers deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (100) substrates
von: Jarosz, Dawid, et al.
Veröffentlicht: (2024)

A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)
von: Fernández-Garrido, S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001)GaN
von: Koblmüller, G., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Rock-salt ScN(113) layers grown on AlN$(11\bar{2}2)$ by plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Dinh, Duc V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Growth of compositionally uniform $\mathrm{In}_{x}\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{N}$ layers with low relaxation degree on GaN by molecular beam epitaxy
von: Kang, Jingxuan, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Crack-free Sc$_{x}$Al$_{1-x}$N(000$\bar{1}$) layers grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Dinh, Duc V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Rapid screening of molecular beam epitaxy conditions for monoclinic (InxGa1-x)2O3 alloys
von: Schaefer, Stephen, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Off-stoichiometry engineering of the electrical and optical properties of SrNbO$_3$ by oxide molecular beam epitaxy
von: Palakkal, Jasnamol, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Arsenic diffusion in MOVPE-Grown GaAs/Ge epitaxial structures
von: Orejuela, V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Fernández-Garrido, S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Electrically pumped AlGaN edge-emitting UV-B laser diodes grown by molecular beam epitaxy
von: Yu, Huabin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

New insights into crystallographic relation and lattice dynamics effects in {CdO/MgO} superlattices grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
von: Wierzbicka, Aleksandra, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Investigation of physical and electrical properties of a suboxide layer at Si/Si-hexafluoride interface
von: Kalem, Seref
Veröffentlicht: (2025)

$β$-Ga$_2$O$_3$(001) surface reconstructions from first principles and experiment
von: Lion, Konstantin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Fabrication of (In,Ga)N pseudo-substrates by a three-step growth protocol without ex-situ processing
von: Zhang, Huaide, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Molecular beam epitaxy of wafer-scale O-band InAs/InGaAs quantum dots on GaAs for quantum photonics
von: Avdienko, Pavel S., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Polarity-induced selective area epitaxy of GaN nanowires
von: Schiaber, Ziani de Souza, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Synthesis of epitaxial TaO$_2$ thin films on Al$_2$O$_3$ by suboxide molecular-beam epitaxy and thermal laser epitaxy
von: Birkhölzer, Yorick A., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Current-induced magnetization reversal in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layer with perpendicular magnetic anisotropy
von: Andrearczyk, Tomasz, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Ultra-thin strain-relieving Si$_{1-x}$Ge$_x$ layers enabling III-V epitaxy on Si
von: Smith, Trevor R., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Structural and optical properties of self-assembled AlN nanowires grown on SiO2/Si substrates by molecular beam epitaxy
von: Gačević, Ž., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Quasi-Vertical $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky Diodes on Sapphire Using All-LPCVD Growth and Plasma-Free Ga-Assisted Etching
von: Khan, Saleh Ahmed, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Electron-beam-controlled volatile nanomechanical bistability
von: Thomas, Toji, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Effect of gallium doping on structural and transport properties of the topological insulator Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy
von: Brito, Daniel, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Investigation of the deposition of $α$-tantalum (110) films on a-plane sapphire substrate by molecular beam epitaxy for superconducting circuit
von: Jia, Haolin, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Optomechanical cavities based on epitaxial GaP on nominally (001)-oriented Si
von: Mouriño, Paula, et al.
Veröffentlicht: (2024)

GaN-based Resonant Cavity LEDs Fabricated by Photo-Electrochemical Etching and Micro-Transfer Printing
von: Chen, Huanqing, et al.
Veröffentlicht: (2025)

In-situ Patterned Damage-Free Etching of 3-Dimensional Structures in \b{eta}-Ga2O3 using Triethylgallium
von: Das, Nabasindhu, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Structural and electrical properties of fiber textured and epitaxial molybdenum thin films prepared by magnetron sputter epitaxy
von: Sundarapandian, Balasubramanian, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Single-crystalline high-quality beta-Ga2O3 pseudo-substrate on sapphire through sputtering for epitaxial deposition
von: Wang, Guangying, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Lateral diffusion in 2-micron InGaAs/GaAsSb superlattice planar diodes using atomic layer deposition of ZnO
von: Muduli, Manisha, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Optoelectronically Active GaAs/GeSn-MQW/Ge Heterojunctions Created via Semiconductor Grafting
von: Zhou, Jie, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Orientation disparity in GaN/graphene/$m$-sapphire: control-based re-examination of thru-hole epitaxy
von: An, Su Young, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Enhancing the physical layer security with bending beams
von: Droulias, Sotiris, et al.
Veröffentlicht: (2026)