High-temperature growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: toward the materials quality of bulk GaN

Fuente: arXiv

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Zettler, J. K., Hauswald, C., Corfdir, P., Musolino, M., Geelhaar, L., Riechert, H., Brandt, O., Fernández-Garrido, S.
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Internet

https://arxiv.org/abs/2402.00583