Buchumschlag

Monitoring the formation of nanowires by line-of-sight quadrupole mass spectrometry: a comprehensive description of the temporal evolution of GaN nanowire ensembles

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Fernández-Garrido, Sergio, Zettler, Johannes K., Geelhaar, Lutz, Brandt, Oliver
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Spontaneous nucleation and growth of GaN nanowires: Fundamental role of crystal polarity
von: Fernández-Garrido, Sergio, et al.
Veröffentlicht: (2024)

High-temperature growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: toward the materials quality of bulk GaN
von: Zettler, J. K., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Observation of dielectrically confined excitons in ultrathin GaN nanowires up to room temperature
von: Zettler, Johannes K., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Polarity-induced selective area epitaxy of GaN nanowires
von: Schiaber, Ziani de Souza, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Self-regulated radius of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy
von: Fernández-Garrido, Sergio, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Combining metal dewetting and lateral etching for the scalable top-down fabrication of GaN nanowire arrays with independently tunable diameter and spacing
von: Kang, Jingxuan, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Diameter dependence of light absorption in GaAs nanowires evidenced by photoluminescence spectroscopy
von: Marín, Francisca, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Uniform large-area surface patterning achieved by metal dewetting for the top-down fabrication of GaN nanowire ensembles
von: Kang, Jingxuan, et al.
Veröffentlicht: (2024)

In situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction
von: Fernández-Garrido, S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Composition and optical properties of (In,Ga)As nanowires grown by group-III-assisted molecular beam epitaxy
von: Ruiz, M Gómez, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Growth kinetics and substrate stability during high-temperature molecular beam epitaxy of AlN nanowires
von: John, Philipp, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Molecular Beam Epitaxy of GaN Nanowires on Epitaxial Graphene
von: Fernández-Garrido, Sergio, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Electrical characterization of all-epitaxial Fe/GaN(0001) Schottky tunnel contacts
von: Fernàndez-Garrido, Sergio, et al.
Veröffentlicht: (2024)

ScN/GaN($1\bar{1}00$): a new platform for the epitaxy of twin-free metal-semiconductor heterostructures
von: John, Philipp, et al.
Veröffentlicht: (2024)

ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires
von: Tiagulskyi, Stanislav, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Growth of compositionally uniform $\mathrm{In}_{x}\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{N}$ layers with low relaxation degree on GaN by molecular beam epitaxy
von: Kang, Jingxuan, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Fabrication of (In,Ga)N pseudo-substrates by a three-step growth protocol without ex-situ processing
von: Zhang, Huaide, et al.
Veröffentlicht: (2025)

ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires - Data Repository
von: Tiagulskyi, Stanislav
Veröffentlicht: (2025)

GaN nanowires and nanotubes growth by chemical vapor deposition method at different NH3 flow rate
von: Pengan Li
Veröffentlicht: (2016)

Phonon interference effects in GaAs-GaP superlattice nanowires
von: Arya, Chaitanya, et al.
Veröffentlicht: (2025)

PAMBE growth of GaN nanowires on metallic ZrN buffers -- a critical impact of ZrN layer thickness on the growth temperature
von: Olszewski, Karol, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Strain distribution in zincblende and wurtzite GaAs nanowires bent by a one-sided (In, Al)As stressor shell: consequences for torsion, chirality, and piezoelectricity
von: Hadjimichael, Yiannis, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Single photon emitters in thin GaAsN nanowire tubes grown on Si
von: Denis, Nadine, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Dislocation correlations in GaN epitaxial films revealed by EBSD and XRD
von: Kaganer, Vladimir M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Impact of Parasitic Conductive Interfaces on the DC and RF Performance of GaN‐on‐GaN HEMTs
von: Amer Bassal, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Understanding Interfaces in AlScN/GaN Heterostructures
von: Isabel Streicher, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Superconducting nanowire diode
von: Zhang, Xiaofu, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Modeling the temporal evolution of mass spectrometry plasma biomarkers
von: Petrice M Cogswell, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
von: Das, Ishika, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Dual-adatom diffusion-limited growth model for compound nanowires: Application to InAs nanowires
von: Mosiiets, Danylo, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Synthesis and guided assembly of niobium trisulfide nanowires and nanowire chains by chemical vapor deposition
von: Pham, Thang, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Tunable polarization-entangled near-infrared photons from orthogonal GaAs nanowires
von: Bailly-Rioufreyt, Elise, et al.
Veröffentlicht: (2025)

SiO2‐GaN Interface Improvement by Wet Cleaning and In Situ Annealing for GaN MOS Transistors
von: Mirjam Henn, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Characterization of the optical response from variant InGaN nanowires emitting within the green spectral gap
von: Esmaeilzadeh, Mohsen, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Magnetic properties of nanowire arrays
von: R. Lavín
Veröffentlicht: (2012)

In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001)GaN
von: Koblmüller, G., et al.
Veröffentlicht: (2024)

GaN Drift Layers on Sapphire and GaN Substrates for 1.2 kV Class Vertical Power Devices
von: Frank Brunner, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Low Resistivity n‐type GaN Ohmic Contacts on GaN Substrates
von: Adamantia Logotheti, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Advancing the Growth of GaN on AlScN and AlYN by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
von: Isabel Streicher, et al.
Veröffentlicht: (2025)

RKKY interaction in Weyl semimetal nanowires
von: Mukherjee, Rohit, et al.
Veröffentlicht: (2025)