Designing topology and fractionalization in narrow gap semiconductor films via electrostatic engineering

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Tan, Tixuan, Reddy, Aidan P., Fu, Liang, Devakul, Trithep
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Strongly Correlated Electrons Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2402.03085