Genuine and faux single G centers in carbon-implanted silicon

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Durand, Alrik, Baron, Yoann, Cache, Félix, Herzig, Tobias, Khoury, Mario, Pezzagna, Sébastien, Meijer, Jan, Hartmann, Jean-Michel, Reboh, Shay, Abbarchi, Marco, Robert-Philip, Isabelle, Gérard, Jean-Michel, Jacques, Vincent, Cassabois, Guillaume, Dréau, Anaïs
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Quantum Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
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