Effects of dislocation filtering layers on optical properties of third telecom window emitting InAs/InGaAlAs quantum dots grown on silicon substrates

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Rudno-Rudziński, Wojciech, Gawełczyk, Michał, Podemski, Paweł, Balasubramanian, Ramasubramanian, Sichkovskyi, Vitalii, Willinger, Amnon J., Eisenstein, Gadi, Reithmaier, Johann P., Sęk, Grzegorz
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2403.13504