AlN/Si interface engineering to mitigate RF losses in MOCVD grown GaN-on-Si substrates

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Cardinael, Pieter, Yadav, Sachin, Hahn, Herwig, Zhao, Ming, Banerjee, Sourish, Esfeh, Babak Kazemi, Mauder, Christof, Sullivan, Barry O, Peralagu, Uthayasankaran, Vohra, Anurag, Langer, Robert, Collaert, Nadine, Parvais, Bertrand, Raskin, Jean-Pierre
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2404.02707