Time-Gated Optical Spectroscopy of Field-Effect Stimulated Recombination via Interfacial Point Defects in Fully-Processed Silicon Carbide Power MOSFETs

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Feil, Maximilian W., Weger, Magdalena, Reisinger, Hans, Aichinger, Thomas, Kabakow, André, Waldhör, Dominic, Jakowetz, Andreas C., Prigann, Sven, Pobegen, Gregor, Gustin, Wolfgang, Waltl, Michael, Bockstedte, Michel, Grasser, Tibor
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2404.13463