Planar channeling of 855 MeV electrons in a boron-doped (110) diamond undulator -- a case study

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Backe, H., Lauth, W., Klag, P., Caliste, Thu Nhi Tran
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Accelerator Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2404.15376