Planar channeling of 855 MeV electrons in a boron-doped (110) diamond undulator -- a case study

Fuente: arXiv
Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autori principali: Backe, H., Lauth, W., Klag, P., Caliste, Thu Nhi Tran
Natura: Preprint
Pubblicazione: 2024
Soggetti:
Accesso online:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!