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Impact of Top SiO2 interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure

Fuente: arXiv

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Hauptverfasser:	Hu, Tao, Shao, Xianzhou, Bai, Mingkai, Jia, Xinpei, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Han, Runhao, Yang, Jia, Ke, Xiaoyu, Tian, Fengbin, Yang, Shuai, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics
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