Quantum bit with telecom wave-length emission from a simple defect in Si
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | Deák, Peter, Li, Song, Gali, Adam |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Quantum Emission from Coupled Spin Pairs in Hexagonal Boron Nitride
von: Li, Song, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Li, Song, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Sulfur in diamond and its effect on the creation of nitrogen-vacancy defect from \textit{ab initio} simulations
von: Cherati, Nima Ghafari, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Cherati, Nima Ghafari, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Spin-active chlorine-related centers in 4H-SiC with telecom-band emissions
von: Shafizadeh, Danial, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Shafizadeh, Danial, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Extended spin relaxation times of optically addressed telecom defects in silicon carbide
von: Ahn, Jonghoon, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Ahn, Jonghoon, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Magneto-optical properties of the neutral silicon-vacancy center in diamond under extreme isotropic strain fields
von: Mohseni, Meysam, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Mohseni, Meysam, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Broadband telecom single-photon emissions from InAs/InP quantum dots grown by MOVPE droplet epitaxy
von: Zhang, Shichen, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Zhang, Shichen, et al.
Veröffentlicht: (2025)
From Mono- to Hexa-Interstitials: Computational Insights into Carbon Defects in Diamond
von: Cherati, Nima Ghafari, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Cherati, Nima Ghafari, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Enhanced Emission from Boron-Vacancy Center in Rhombohedral Boron Nitride
von: Estaji, Nasrin, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Estaji, Nasrin, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Native antisite defects in h-BN
von: Li, Song, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Li, Song, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Nuclear spin relaxation in solid state defect quantum bits via electron-phonon coupling in their optical excited state
von: Thiering, Gergő, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Thiering, Gergő, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Spin-Phonon Relaxation of Boron-Vacancy Centers in Two-Dimensional Boron Nitride Polytypes
von: Estaji, Nasrin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Estaji, Nasrin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Magneto-optical properties of Group-IV--vacancy centers in diamond upon hydrostatic pressure
von: Mohseni, Meysam, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Mohseni, Meysam, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Materials and spin characteristics of amino-terminated nanodiamonds embedded with nitrogen-vacancy color centers
von: Jegenyes, Nikoletta, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Jegenyes, Nikoletta, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Observation and mitigation of microwave echoes from dielectric defects in Josephson traveling wave amplifiers
von: Boselli, Matteo, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Boselli, Matteo, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Room-temperature quantum emission from $\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$ defects in ZnS:Cu colloidal nanocrystals
von: Panfil, Yossef E., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Panfil, Yossef E., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Time-bin encoded quantum key distribution over 120 km with a telecom quantum dot source
von: Wang, Jipeng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wang, Jipeng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Theory of optical spin polarization of axial divacancy and nitrogen-vacancy defects in 4H-SiC
von: Bian, Guodong, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Bian, Guodong, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Approaching transform-limited linewidths in telecom-wavelength transitions of ungated quantum dots
von: Wakileh, Andrew N., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wakileh, Andrew N., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Stark Shift from Quantum Defects in Hexagonal Boron Nitride
von: Li, Pei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Li, Pei, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Radiative electronic bound states in the continuum from defects in semiconductors
von: Hong, Seong Yun, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Hong, Seong Yun, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Simulating optically-active spin defects with a quantum computer
von: Baker, Jack S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Baker, Jack S., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Discovery of T center-like quantum defects in silicon
von: Xiong, Yihuang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Xiong, Yihuang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Quantum Active Learning for Structural Determination of Doped Nanoparticles -- a Case Study of 4Al@Si$_{11}$
von: Lourenço, Maicon Pierre, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Lourenço, Maicon Pierre, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Growth and Spectroscopy of Lanthanide Doped Y$_2$SiO$_5$ Microcrystals for Quantum Information Processing
von: Martin, Jamin L. B., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Martin, Jamin L. B., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Identifying high performance spectrally-stable quantum defects in diamond
von: Xiong, Yihuang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Xiong, Yihuang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Diamond Surface Functionalization via Visible Light-Driven C-H Activation for Nanoscale Quantum Sensing
von: Rodgers, Lila V. H., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Rodgers, Lila V. H., et al.
Veröffentlicht: (2023)
A defect in diamond with millisecond-scale spin relaxation time at room temperature
von: Mukherjee, Sounak, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Mukherjee, Sounak, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Roadmap: 2D Materials for Quantum Technologies
von: Yan, Qimin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Yan, Qimin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Revisiting intrinsic spin defects in hexagonal boron nitride with r2SCAN
von: Filippatos, Petros-Panagis, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Filippatos, Petros-Panagis, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Quantum sensing with spin defects in boron nitride nanotubes
von: Rizzato, Roberto, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Rizzato, Roberto, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Mapping g-factors and complex intervalley coupling in Si/SiGe by conveyor-mode shuttling
von: Volmer, Mats, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Volmer, Mats, et al.
Veröffentlicht: (2026)
A substitutional quantum defect in WS$_2$ discovered by high-throughput computational screening and fabricated by site-selective STM manipulation
von: Thomas, John C., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Thomas, John C., et al.
Veröffentlicht: (2023)
In-vacuum surface flashover of SiN, AlN, and etched SiO2 thin films at micrometre scales
von: Kumar, Vijay, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Kumar, Vijay, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Identifying electronic transitions of defects in hexagonal boron nitride for quantum memories
von: Cholsuk, Chanaprom, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Cholsuk, Chanaprom, et al.
Veröffentlicht: (2023)
High quality superconducting tantalum resonators with beta phase defects
von: Dhundhwal, Ritika, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Dhundhwal, Ritika, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Strained Donor-Bound Excitons in $^{28}$Si
von: Vogl, David A., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Vogl, David A., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Exe.py: Ab initio fine structure parameters for trigonal defect qubits within the E$\otimes$e Jahn-Teller case
von: Toth, Balazs, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Toth, Balazs, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Quantum subspace expansion in the presence of hardware noise
von: Getelina, João C., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Getelina, João C., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Low-loss Nb on Si superconducting resonators from a dual-use spintronics deposition chamber and with acid-free post-processing
von: Olszewski, Maciej W., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Olszewski, Maciej W., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Charge state tuning of spin defects in hexagonal boron nitride
von: Fraunié, Jules, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Fraunié, Jules, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Ähnliche Einträge
-
Quantum Emission from Coupled Spin Pairs in Hexagonal Boron Nitride
von: Li, Song, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Sulfur in diamond and its effect on the creation of nitrogen-vacancy defect from \textit{ab initio} simulations
von: Cherati, Nima Ghafari, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Spin-active chlorine-related centers in 4H-SiC with telecom-band emissions
von: Shafizadeh, Danial, et al.
Veröffentlicht: (2026) -
Extended spin relaxation times of optically addressed telecom defects in silicon carbide
von: Ahn, Jonghoon, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Magneto-optical properties of the neutral silicon-vacancy center in diamond under extreme isotropic strain fields
von: Mohseni, Meysam, et al.
Veröffentlicht: (2026)