Noise reduction by bias cooling in gated Si/SixGe1-x quantum dots
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | Ferrero, Julian, Koch, Thomas, Vogel, Sonja, Schroller, Daniel, Adam, Viktor, Xue, Ran, Seidler, Inga, Schreiber, Lars R., Bluhm, Hendrik, Wernsdorfer, Wolfgang |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2024
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Conveyor-mode electron shuttling through a T-junction in Si/SiGe
par: Beer, Max, et autres
Publié: (2026)
par: Beer, Max, et autres
Publié: (2026)
Si/SiGe QuBus for single electron information-processing devices with memory and micron-scale connectivity function
par: Xue, Ran, et autres
Publié: (2023)
par: Xue, Ran, et autres
Publié: (2023)
Probing Lattice Dynamics and Electronic Resonances in Hexagonal Ge and SixGe1-x Alloys in Nanowires by Raman Spectroscopy
par: de Matteis, Diego, et autres
Publié: (2021)
par: de Matteis, Diego, et autres
Publié: (2021)
Spectroscopic ellipsometry of SixGe1 x / Si : a tool for composition and profile analysis in strained heterostructure used in the microelectronics industry
par: F. Ferrieu
Publié: (1999)
par: F. Ferrieu
Publié: (1999)
Epitaxial growth and magnetic properties of Mn5(SixGe1-x)3 thin films
par: Kang, Sueyeong, et autres
Publié: (2024)
par: Kang, Sueyeong, et autres
Publié: (2024)
Industrially fabricated single-electron quantum dots in Si/Si-Ge heterostructures
par: Huckemann, Till, et autres
Publié: (2024)
par: Huckemann, Till, et autres
Publié: (2024)
Sensing dot with high output swing for scalable baseband readout of spin qubits
par: Kammerloher, Eugen, et autres
Publié: (2021)
par: Kammerloher, Eugen, et autres
Publié: (2021)
Individually tunable Si/SiGe quantum dot operating voltages via gate-biased illumination
par: Benson, Jared, et autres
Publié: (2026)
par: Benson, Jared, et autres
Publié: (2026)
Spin-EPR-pair separation by conveyor-mode single electron shuttling in Si/SiGe
par: Struck, Tom, et autres
Publié: (2023)
par: Struck, Tom, et autres
Publié: (2023)
Strategies for enhancing spin-shuttling fidelities in Si/SiGe quantum wells with random-alloy disorder
par: Losert, Merritt P., et autres
Publié: (2024)
par: Losert, Merritt P., et autres
Publié: (2024)
Impact of the local valley splitting on the coherence of conveyor-belt spin shuttling in $^{28}$Si/SiGe
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2025)
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2025)
Reaction Mechanism and Performance of Innovative 2D Germanane‐Silicane Alloys: SixGe1−xH Electrodes in Lithium‐Ion Batteries
par: Shuangying Wei, et autres
Publié: (2024)
par: Shuangying Wei, et autres
Publié: (2024)
Mapping g-factors and complex intervalley coupling in Si/SiGe by conveyor-mode shuttling
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2026)
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2026)
Reduction of the impact of the local valley splitting on the coherence of conveyor-belt spin shuttling in 28Si/SiGe
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2025)
par: Volmer, Mats, et autres
Publié: (2025)
The SpinBus Architecture: Scaling Spin Qubits with Electron Shuttling
par: Künne, Matthias, et autres
Publié: (2023)
par: Künne, Matthias, et autres
Publié: (2023)
Disentangling orbital and confinement contributions to $g$-factor in Ge/SiGe hole quantum dots
par: Sommer, L., et autres
Publié: (2026)
par: Sommer, L., et autres
Publié: (2026)
Strain Engineering of Ge Quantum Wells in Planar Ge/Si 1 − x Ge x Heterostructures
par: Arianna Nigro, et autres
Publié: (2025)
par: Arianna Nigro, et autres
Publié: (2025)
Singlet-triplet oscillations in multivalley Si double quantum dots
par: Cywiński, Łukasz, et autres
Publié: (2026)
par: Cywiński, Łukasz, et autres
Publié: (2026)
Bootstrapping, autonomous testing, and initialization system for Si/Si$_x$Ge$_{1-x}$ multi-quantum-dot devices
par: Kovach, Tyler J., et autres
Publié: (2024)
par: Kovach, Tyler J., et autres
Publié: (2024)
Industrial 300$\,$mm wafer processed spin qubits in natural silicon/silicon-germanium
par: Koch, Thomas, et autres
Publié: (2024)
par: Koch, Thomas, et autres
Publié: (2024)
Optimization of Si/SiGe Heterostructures for Large and Robust Valley Splitting in Silicon Qubits
par: Thayil, Abel, et autres
Publié: (2025)
par: Thayil, Abel, et autres
Publié: (2025)
Micromagnet-free operation of electron spin qubits in Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ vertical double quantum dots
par: Sarkar, Abhikbrata, et autres
Publié: (2025)
par: Sarkar, Abhikbrata, et autres
Publié: (2025)
Scalable Parity Architecture With a Shuttling-Based Spin Qubit Processor
par: Ginzel, Florian, et autres
Publié: (2024)
par: Ginzel, Florian, et autres
Publié: (2024)
Exchange interaction in gate-defined quantum dots beyond the Hubbard model
par: Willmes, Alexander, et autres
Publié: (2025)
par: Willmes, Alexander, et autres
Publié: (2025)
High yield, low disorder Si/SiGe heterostructures for spin qubit devices manufactured in a BiCMOS pilot line
par: Mistroni, Alberto, et autres
Publié: (2025)
par: Mistroni, Alberto, et autres
Publié: (2025)
Fabrication, characterization and mechanical loading of Si/SiGe membranes for spin qubit devices
par: Marcogliese, Lucas, et autres
Publié: (2025)
par: Marcogliese, Lucas, et autres
Publié: (2025)
Long distance spin shuttling enabled by few-parameter velocity optimization
par: David, Alessandro, et autres
Publié: (2024)
par: David, Alessandro, et autres
Publié: (2024)
Zeeman-like coupling to valley degree of freedom in Si-based spin qubits
par: Jafari, S Akbar, et autres
Publié: (2025)
par: Jafari, S Akbar, et autres
Publié: (2025)
Characterization of individual charge fluctuators in Si/SiGe quantum dots
par: Ye, Feiyang, et autres
Publié: (2024)
par: Ye, Feiyang, et autres
Publié: (2024)
Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge quantum dots on Si
par: K. Eberl
Publié: (1999)
par: K. Eberl
Publié: (1999)
Anisotropic spin-valley coupling in SiMOS and Si/SiGe quantum dots
par: Jacobson, N. Tobias, et autres
Publié: (2026)
par: Jacobson, N. Tobias, et autres
Publié: (2026)
Stabilizing an individual charge fluctuator in a Si/SiGe quantum dot
par: Ye, Feiyang, et autres
Publié: (2024)
par: Ye, Feiyang, et autres
Publié: (2024)
Nano-assembled open quantum dot nanotube devices
par: Althuon, Tim, et autres
Publié: (2024)
par: Althuon, Tim, et autres
Publié: (2024)
Multi-level charge fluctuations in a Si/SiGe double quantum dot device
par: Albrecht, Dylan, et autres
Publié: (2026)
par: Albrecht, Dylan, et autres
Publié: (2026)
Smooth velocity shuttling for suppressing valley excitations in disordered Si/SiGe quantum dots
par: Nagai, Ryo, et autres
Publié: (2026)
par: Nagai, Ryo, et autres
Publié: (2026)
Pursuing high-fidelity control of spin qubits in natural Si/SiGe quantum dot
par: Wang, Ning, et autres
Publié: (2024)
par: Wang, Ning, et autres
Publié: (2024)
3D tomography of exchange phase in a Si/SiGe quantum dot device
par: Albrecht, Dylan, et autres
Publié: (2026)
par: Albrecht, Dylan, et autres
Publié: (2026)
Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ single crystals for Ge hole spin qubit integration
par: Fuhrberg, Andreas, et autres
Publié: (2025)
par: Fuhrberg, Andreas, et autres
Publié: (2025)
Exciton radiative lifetimes in hexagonal diamond Ge and Si$_x$Ge$_{1-x}$ alloys
par: Fiorentin, Michele Re, et autres
Publié: (2025)
par: Fiorentin, Michele Re, et autres
Publié: (2025)
Exciton Radiative Lifetimes in Hexagonal Diamond Ge and Si x Ge 1– x Alloys
par: Michele Re Fiorentin, et autres
Publié: (2026)
par: Michele Re Fiorentin, et autres
Publié: (2026)
Documents similaires
-
Conveyor-mode electron shuttling through a T-junction in Si/SiGe
par: Beer, Max, et autres
Publié: (2026) -
Si/SiGe QuBus for single electron information-processing devices with memory and micron-scale connectivity function
par: Xue, Ran, et autres
Publié: (2023) -
Probing Lattice Dynamics and Electronic Resonances in Hexagonal Ge and SixGe1-x Alloys in Nanowires by Raman Spectroscopy
par: de Matteis, Diego, et autres
Publié: (2021) -
Spectroscopic ellipsometry of SixGe1 x / Si : a tool for composition and profile analysis in strained heterostructure used in the microelectronics industry
par: F. Ferrieu
Publié: (1999) -
Epitaxial growth and magnetic properties of Mn5(SixGe1-x)3 thin films
par: Kang, Sueyeong, et autres
Publié: (2024)