Simulation of Ge on Si Photodiode with photon-trapping micro-nano holes with -3dB bandwidth of >60 GHz at NIR wavelength

Fuente: arXiv
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Devine, Ekaterina Ponizovskaya, Yamada, Toshishige, Wang, Shih-Yuan, Islam, M Saif
Formato: Preprint
Publicado: 2024
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