Electrically Injected mid-infrared GeSn laser on Si operating at 140 K

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Acharya, Sudip, Stanchu, Hryhorii, Kumar, Rajesh, Ojo, Solomon, Benamara, Mourad, Chang, Guo-En, Li, Baohua, Du, Wei, Yu, Shui-Qing
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2024
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