Error-Free and Current-Driven Synthetic Antiferromagnetic Domain Wall Memory Enabled by Channel Meandering

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Zhang, Pengxiang, Haensch, Wilfried, Phatak, Charudatta M., Guha, Supratik
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Emerging Technologies Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2405.18261