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Giant enhancement of hole mobility for 4H-silicon carbide through suppressing interband electron-phonon scattering

Fuente: arXiv

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Hauptverfasser:	Sun, Jianshi, Li, Shouhang, Tong, Zhen, Shao, Cheng, An, Meng, Zhu, Xiongfei, Zhang, Chuang, Chen, Xiangchuan, Xiong, Yucheng, Frauenheim, Thomas, Liu, Xiangjun
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science Computational Physics
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