Over 600 V Lateral AlN-on-AlN Schottky Barrier Diodes with Ultra-Low Ideality Factor

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Mudiyanselage, Dinusha Herath, Wang, Dawei, He, Ziyi, Da, Bingcheng, Fu, Houqiang
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

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https://arxiv.org/abs/2406.15688