Cryogenic Behavior of High-Permittivity Gate Dielectrics: The Impact of the Atomic Layer Deposition Temperature and the Lithographic Patterning Method
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|