Buffer-less Gallium Nitride High Electron Mobility Heterostructures on Silicon

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Ghosh, Saptarsi, Frentrup, Martin, Hinz, Alexander M., Pomeroy, James W., Field, Daniel, Wallis, David J., Kuball, Martin, Oliver, Rachel A.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
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